Conhecendo mais sobre a nova serie de transistores CoolGaN™ G3 da infineon.
Os semicondutores de potência GaN estão em uma trajetória de crescimento tremendo, O GaN está a caminho de atingir mais pontos de inflexão em sua adoção em mais indústrias. Carregadores e adaptadores de consumo foram os precursores, mais aplicações devem ser introduzidas este ano, com muitas outras a seguir com o tempo. Ainda assim, há alguns obstáculos para o GaN atingir esse nível de adoção. Por que isso acontece e como podemos superá-los para criar valor e dimensionar todas as oportunidades que o GaN tem a oferecer?
Como líder em sistemas de energia, a Infineon tem a ambição de escalar, avançar e habilitar o mercado de GaN. Com o mais amplo portfólio de produtos e propriedade intelectual, os mais altos padrões de qualidade, inovações de ponta, como fabricação de wafers de GaN de 300 mm, soluções GaN integradas, tecnologia de comutação bidirecional (BDS) e muito mais!
Os transistores CoolGaN™ são dispositivos normalmente desligados altamente eficientes variando de 60 V a 700 V. Os transistores de potência de nitreto de gálio (GaN) da Infineon estão impulsionando a descarbonização e a digitalização, ao mesmo tempo em que permitem a operação em alta frequência, aumentando a eficiência e reduzindo o tamanho do sistema em aplicações industriais e de consumo. Eles estão disponíveis em classes de tensão de 60 V a 700 V e em uma ampla variedade de encapsulamentos.
Com sua velocidade de comutação superior, os transistores GaN permitem alta densidade de potência, reduzem perdas de energia e aumentam a eficiência em uma ampla gama de aplicações. Isso significa que os designers podem criar sistemas menores, mais leves e mais compactos, proporcionando alto desempenho.
Comparados aos chaveadores de silício (Si) tradicionais, os transistores GaN têm maior condutividade térmica, permitindo melhor dissipação de calor e confiabilidade aprimorada. Os transistores CoolGaN™ são projetados para serem robustos, suportando picos de alta tensão e garantindo uma vida útil mais longa.
A nova geração de transistores CoolGaN™ 60 V – 120 V G3 são dispositivos e-mode normalmente desligados, permitindo projetos de alta densidade de potência. Disponível em encapsulamentos PQFN 3×3 ou PQFN 3×5 com resfriamento lateral duplo, esta nova família de transistores GaN é projetada para desempenho confiável em aplicações exigentes de alta tensão e alta corrente.
O portfólio na faixa de 60 V a 200 V nos encapsulamentos PQFN 3×3 e PQFN 3×5, tem uma classificação de nível de sensibilidade à umidade (MSL) de 1, o que os torna adequados para condições padrão de armazenamento e manuseio.
Na área de alta tensão (≥600 V), são oferecidos uma variedade muito ampla de encapsulamentos SMD, variando de TOLL, TOLT, ThinPAK 5×6, DFN 8×8, até DSO, com resfriamentos térmicos na parte superior e inferior. Esses encapsulamentos atendem a diversos requisitos de design e oferecem uma combinação perfeita entre tamanho compacto, desempenho térmico aprimorado, custo-benefício e flexibilidade de design.
CoolGaN™ 100V G3 versus Si na Comparação de FOM: Eficiência sobre IOUT em diferentes fsw de comutação VIN = 48V, VOUT = 12V.
Principais vantagens de se usar o CoolGaN™ em acionamentos de motores:
A Maior frequência de comutação, permite um sistema menor e com maior confiabilidade contra vibrações.
- Menor QOSS e COSS mais linear
- Baixo on-resistance especÍfico
- Menor QG
- Sem Qrr
- Encapsulamentos com baixa indutância
- Menores perdas por comutação
- Maior frequência de comutação
- Formas de onda de comutação mais limpas
- Dead-times mais curtos
Todas as indústrias compartilham um desafio: a crescente dependência de energia e a exigência de melhorar o equilíbrio energético para impactar positivamente a sustentabilidade do nosso planeta. Transformar esse desafio em uma oportunidade será a chave para atingir essa meta, com a tecnologia sendo uma alavanca-chave da solução, sedo que o futuro do GaN, está em sua capacidade de permitir um mundo sustentável e interconectado. A tecnologia GaN está abrindo caminho para soluções mais leves, rápidas e eficientes. À medida que avançamos, o papel do GaN se expandirá, transformando a tecnologia e contribuindo para a sustentabilidade.
