Os módulos de IGBT são componentes essenciais na eletrônica de potência moderna, Eles combinam a alta eficiência e as capacidades de comutação rápida dos MOSFETs com as capacidades de alta corrente e baixa tensão de saturação dos BJTs (transistores de junção bipolar). Isso os torna ideais para uma variedade de aplicações de alta potência.
Principais recursos dos IGBTs:
- Alta Eficiência: Os módulos IGBT são projetados para lidar com alta potência com perda mínima de energia.
- FAST SWITCHING: Eles podem ligar e desligar rapidamente, o que é crucial para aplicações que exigem controle preciso.
- usabilidade EM altas faixas de potência: Adequado para aplicações que exigem grandes ordens de grandeza em corrente e tensão.
Aplicações comuns:
- Controle de Motor: Usado em acionamentos de motores industriais e veículos elétricos.
- Fontes de alimentação: Integrantes em fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e fontes de alimentação comutadas (SMPS).
- Inversores: Essenciais para inversores solares, de proposito geral e outros sistemas de energia renovável.
Quando devo optar em usar o IGBT e o MOSFET:
OS IGBTs e os MOSFETs têm cada um seus próprios pontos fortes, mas os IGBTs oferecem várias vantagens em aplicações específicas. Os IGBTs podem lidar com tensões mais altas (normalmente acima de 400 V) com mais eficiência do que os MOSFETs, tornando-os ideais para aplicações de alta potência. Em altas tensões, os IGBTs apresentam menores perdas de condução em comparação aos MOSFETs, o que se traduz em melhor eficiência nos sistemas de conversão de energia, além de serem mais adequados para aplicações que exigem alta corrente.
Em geral, os IGBTs apresentam melhor estabilidade térmica, podendo operar em temperaturas mais altas, o que é benéfico em ambientes e aplicações com maiores níveis de exigência.
Já os MOSFETs, são preferidos para aplicações de baixa tensão (abaixo de 200 V) devido às suas velocidades de comutação mais rápidas e menor potência de acionamento de gate. Os MOSFETs também são mais adequados para aplicações de alta frequência, porque apresentam perdas de comutação mais baixas nessas faixas de frequências (centenas de MHz).
Os módulos IGBT EconoDUAL™ 3 da Infineon são projetados para aplicações de alta potência que exigem soluções eletrônicas de potência confiáveis e econômicas. Com os produtos EconoDUAL™ 3, a Infineon atende as faixas completas de corrente de 100A a 900A – 600V / 650V / 1200V e 1700V.
Através de Excelente robustez mecânica, alta capacidade de ciclo de potência, opção de pinos PressFIT e a disponibilidade do tim (thermal interface material), o torna uma solução confiável e econômica.
É amplamente utilizado nas mais variadas aplicações, como inversores de uso geral, veículos elétricos e híbridos, energia eólica, solar, tração, UPS, bem como na transmissão e distribuição de energia elétrica.
Os módulos EconoDUAL™ 3 são equipados com tecnologias TRENCHSTOP™ IGBT7 ou IGBT4 de última geração para maior densidade de potência e capacidade de ciclo de potência de ponta. O design simétrico dos módulos permite o compartilhamento otimizado de corrente entre as meias pontes dos igbts em aplicações de paralelismo.
Os módulos EconoDUAL™ 3 estão disponíveis em diversas topologias e com funcionalidades adicionais integradas, como resistores shunt, entre outras funcionalidades. Em combinação com a tecnologia TRENCHSTOP™ geração de IGBT7, eles apresentam uma redução significativa de perdas por chaveamento, um alto nível de controlabilidade e suavidade de comutação, bem como alta capacidade de proteção contra curto-circuito, permitindo assim a simplificação a redução dos custos totais do desing.
