Com ampla disponibilidade e excelente relação preço/desempenho, esses produtos adequados são uma escolha fácil para designers interessados em seleção e compra convenientes.
Otimizada para frequências de comutação baixas e altas, a família suporta uma ampla gama de aplicações, permitindo flexibilidade de design. O novo portfólio estará disponível em uma variedade de encapsulamentos, começando com TO-220 e continuando com TO-220 FullPAK, D²PAK, D²PAK 7 pinos, DPAK, PQFN 3×3 e SuperSO8 (PQFN 5×6).
Essa nova tecnologia oferece até 40% de melhoria no RDS(on) e até 60% menos FOMQg em comparação com os dispositivos StrongIRFET™ anteriores, traduzindo-se em maior eficiência de energia para melhorar o desempenho geral do sistema, ao mesmo tempo em que possui uma excelente robustez. O aumento das classificações de corrente permite maior capacidade de transporte de corrente, eliminando a necessidade de colocar vários dispositivos em paralelo, o que se traduz em menores custos de BOM e economia de placas.
A família StrongIRFET™ 2 de tecnologia MOSFET de potência está atendendo a uma ampla gama de aplicações, como fontes chaveadas, drivers de motores, gerenciamento de bateria, UPS, veículos elétricos leves, ferramentas elétricas, ferramentas de jardinagem, adaptadores e aplicações de consumo.
O crescimento de dispositivos e carregadores operados por bateria no mercado está impulsionando a necessidade de melhorias na eficiência e robustez de energia, além de exigir um fornecimento confiável e preços competitivos. Para atender a esses requisitos, a Infineon desenvolveu os MOSFETs StrongIRFET™ 2 e está expandindo o portfólio agora inclui produtos StrongIRFET™ 2 em 30 V.
Características:
- Produtos de uso geral
- Excelente robustez e relação preço/desempenho
- encapsulamentos padrão de mercado, com pinagem para direct replacement
- Mais altos padrões de fabricação e fornecimento
